K9G8G08U0B系列SAMSUNG的一款NAND 闪存，面向固态大容量存储市场。它提供 1G×8 位配置，适合大容量数据组织；总容量为 8G 位，满足较高容量存储需求；并带有 256M 位备用存储，有助于存储管理；器件支持 2.7V 和 3.3V Vcc 电压，适用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用。

从操作性能来看，K9G8G08X0B 采用典型 NAND Flash 操作结构。编程操作以页面为单位执行，在 2,112 字节页面上，典型耗时约 800µs。擦除操作以块为单位执行，在对应块结构上，典型耗时约 1.5ms。数据寄存器中的数据可在每字节 25ns 的周期时间内读取，能够满足大容量存储应用对读取效率的要求。

K9G8G08X0B 的 I/O 引脚既是地址和数据输入/输出端口，也是命令输入端。这种设计可以让地址、数据和命令通过统一 I/O 通道交互，有助于简化系统接口设计。同时，芯片内部集成片上写入控制器，可自动执行所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部校验和边界检测。简单理解，芯片内部有一套写入与擦除流程管理机制，可以让编程和擦除操作按照规范执行。对于写入密集型系统，K9G8G08X0B 可通过带实时映射算法的 ECC，也就是纠错码，来提升数据完整性和系统稳定性。

主要特性：

2.7V 设备(K9G8G08B0B) : 2.5V ~ 2.9V

3.3V 设备(K9G8G08U0B) :2.7V ~ 3.6V

存储单元阵列: (1G 32M) x 8位

数据寄存器: (2K 64) x 8位 X8 

编程时间: 800µs(典型值)

块擦除时间: 1.5ms(典型值)

命令/地址/数据复用 I/O 端口 TSOP1

编程/擦除在电源转换期间锁定

自动编程和擦除

页读取操作

串行访问: 25ns(最小值) 

存储单元: 每单元 2位

可靠的CMOS浮栅技术

编程/擦除次数（带4位/528字节ECC） 

命令寄存器操作

用于版权保护的唯一ID 

封装：K9G8G08U0B-PCB0/PIB0 ：无铅封装48针TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm K9G8G08B0B-PCB0/PIB0 ：无铅封装48针TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG K9G8G08U0B系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。