K9F5608X0D系列是SAMSUNG一款面向大容量非易失性存储应用的 NAND Flash 芯片。它提供 32M×8 位规格，总容量为 256M 位，并带有额外 8M 位空间；器件支持 1.8V、2.65V 和 3.3V 电压选择，适用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携应用。

从操作性能来看，K9F5608X0D 采用典型 NAND Flash 操作结构,编程操作通常可以在 528 字节页上以 200µs 完成,擦除操作则可以在 16K 字节块上以 2ms 完成。页面中的数据可以以每字节 50ns 的周期时间读取，能够满足常见非易失性存储应用对读写效率的需求。

K9F5608X0D 的 I/O 引脚既作为地址和数据输入/输出端口，也作为命令输入端口。这种设计可以让地址、数据和命令通过统一的 I/O 通道进行交互，有助于简化系统接口设计。

同时，器件具备片内写入控制能力，可自动完成所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和边界检查。K9F5608X0D 可支持 100K 程序/擦写周期的高可靠性。对于写入频繁的系统，还能借助实时映射算法提供的 ECC(错误校正码)，进一步提升数据完整性。综合上述特性，K9F5608X0D 成为大容量非易失性存储应用的理想选择。

主要特性：

1.8V 设备（K9F5608R0D）：1.65~1.95V

2.65V 设备（K9F5608D0D）：2.4~2.9V 

3.3V 设备（K9F5608U0D）：2.7~3.6V 

存储单元阵列(32M 1024K)bit x 8 bit 

数据寄存器-(512 16)bit x 8 bit 

页编程:(512 16)Byte 

块擦除: (16K 512)Byte 

页大小(512 16)Byte

随机访问：15µs（最大）

串行页访问：50ns（最小）

编程时间：200µs（典型）

块擦除时间：2ms（典型）

命令/地址/数据复用I/O端口

电源转换期间的程序/擦除锁定 

可靠的CMOS浮栅技术 

耐用度：10万次程序/擦除循环 

数据保持时间：10年 

智能回写

唯一ID用于版权保护