K9F5608Q0C系列是SAMSUNG一款面向大容量非易失性存储应用的 NAND Flash 芯片。它提供了两种版本，32Mx8bit 或 16Mx16bit，总容量达到 256M bit，并且还贴心地配备了 8M bit 的备用容量，以备不时之需。

在供电方面，该芯片具有出色的灵活性，提供1.8V 或 3.3V Vcc 电压，能够很好地适配各种不同的电路环境。从数据处理速度来看，典型情况下，程序操作针对 528 字节的 X8 器件或 264 字的 X16 器件页面，仅需 200µs 就能完成，而擦除操作针对 16K 字节的 X8 器件或 8K 字的 X16 器件块，2ms 内即可完成。页面中的数据读取也相当顺畅，可以以每字 50ns 的周期时间读取，数据的传输非常顺畅。

芯片的I/O 引脚既用于地址和数据的输入 / 输出，让芯片与外部设备之间的沟通变得高效有序。片上写控制则自动完成所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和边际调整，确保芯片内部的数据处理工作有条不紊地进行。

对于写入密集型系统，K9F56XXX0C 凭借自身提供的 100K 程序 / 擦除循环扩展可靠性，结合实时映射算法提供的 ECC（纠错码），为数据的准确性和稳定性提供了有力保障。也正因如此，K9F56XXX0C 成为大容量非易失性存储应用的最佳选择，广泛应用于固态文件存储及其他需要非易失性的便携式应用等领域。

主要特性：

1.8V 设备(K9F56XXQ0C)：1.70~1.95V 

3.3V 设备(K9F56XXU0C)：2.7 ~ 3.6V 

X8 设备(K9F5608X0C)：(32M 1024K)bit x 8 bit

X8 设备(K9F5608X0C)：(512 16)bit x 8 bit

X16 设备(K9F5616X0C)：(16M 512K)bit x 16 bit 

X16 设备(K9F5616X0C)：(256 8)bit x 16 bit 

页面大小- X8 设备(K9F5608X0C)：(512 16)字节 - X16 设备(K9F5616X0C)：(256 8)字 

随机访问：10µs（最大） 

串行页面访问：50ns（最小）

快速写入周期时间

编程时间：200µs（典型）

块擦除时间：2ms（典型）

命令/地址/数据复用 I/O 端口

电源转换期间的编程/擦除锁定

可靠的CMOS 浮栅技术

耐用性：10 万次编程/擦除循环 

数据保持：10 年 

命令寄存器操作

智能回写

用于版权保护的唯一ID 

上电自动读取操作

安全锁机制

封装：K9F56XXU0C-PCB0/PIB0 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 毫米间距）无铅封装 K9F56XXX0C-HCB0/HIB0 63 球 TBGA（9 x 11 /0.8 毫米间距，宽度 1.0 毫米）无铅封装 K9F5608U0C-FCB0/FIB0 48 引脚 WSOP I（12X17X0.7 毫米）无铅封装 

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG K9F56XXX0C 系列K9F5608U0C-PIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。